Contact
Downloads

interferoMETER IMS5420-TH


Inline diktemeting in realtime

Meerlaagse meting tot 5 lagen

Nanometerprecisie bij diktemeting van siliciumwafers

Witlicht-interferometer voor zeer nauwkeurige wafer-meting

De IMS5420 is een hoogwaardige witlicht-interferometer voor contactloze diktemeting van monokristallijne siliciumwafers. De controller is voorzien van een breedband superluminescentiediode (SLED) met een golflengtebereik van 1100 nm. Dit maakt diktemeting van ongedoteerde, gedoteerde en hooggedoteerde Si-wafers met slechts één meetsysteem en een signaalstabiliteit van minder dan 1 nm mogelijk. Afhankelijk van het toepassingsgebied zijn er sensoren met een grote offsetafstand en met een luchtspoelsysteem beschikbaar.

logo

Kenmerken

  1. Nanometernauwkeurige diktemeting van ongedoteerde, gedoteerde en hooggedoteerde wafers
  2. Multi-piek: acquisitie van maximaal 5 lagen met een SI-dikte van 0,05 tot 1,05 mm
  3. Hoge resolutie in z-as van 1 nm
  4. Meetsnelheid tot 6 kHz voor snelle metingen
  5. Ethernet / EtherCAT / RS422 / PROFINET / EtherNet/IP
  6. Eenvoudige parametrering via webinterface
[]
Contact
MICRO-EPSILON BeNeLux
Contactformulier
Uw aanvraag van: {product}
* Verplichte velden
We behandelen uw gegevens vertrouwelijk. Lees onze Privacyverklaring.

Nauwkeurige wafer-diktemeting

Dankzij de optische transparantie van silicium-wafers in het golflengtebereik van 1100 nm kunnen de IMS5420-interferometers de dikte nauwkeurig detecteren. In dit golflengtebereik bieden zowel ongedoteerd als gedoteerd silicium voldoende transparantie. Daarom kunnen wafer-diktes tot 1,05 mm worden gemeten. De meetbare dikte van de luchtspleet is zelfs tot 4 mm.

De IMS5420-interferometer maakt diktemeting van ongedoteerde, gedoteerde en hooggedoteerde siliciumwafers mogelijk en biedt daarmee een brede reeks toepassingen. Dit wafer-diktemeetsysteem is ideaal voor het meten van monokristallijne siliciumwafers met een geometrische dikte van 500 tot 1050 µm en een dotering tot 6 m Ω cm. Ondanks de afnemende transparantie bij toenemende dotering, kunnen zelfs bij hooggedoteerde wafers nog steeds diktes tot 0,8 mm worden gemeten.

Nauwkeurige diktemeting tijdens het lappen

Bij de productie van wafers wordt een kristallijne siliciumstaaf in dunne plakjes van ongeveer 1 mm gesneden. De wafers worden vervolgens geslepen en gelapt om de gewenste dikte en oppervlakteafwerking te verkrijgen. Voor stabiele en reproduceerbare procescontrole worden interferoMETER-systemen voor inline diktemeting direct in lap- en slijpmachines geïntegreerd. De diktewaarden worden gebruikt voor zowel machinebesturing als kwaliteitscontrole van de wafer.

Compacte IMP-NIR-TH24-sensor

Met zijn slanke diameter van slechts 10 mm en zijn grote werkingsafstand van 24 mm is de IMP-NIR-TH24 ideaal voor plaatsing in bestaande systemen. De verstelbare montageadapter (JMA) vereenvoudigt de integratie aanzienlijk, omdat zelfs kleine montageafwijkingen of schuine posities betrouwbaar kunnen worden gecompenseerd. Zowel de sensor als de glasvezelkabel zijn op aanvraag in UHV-uitvoering verkrijgbaar.

NIEUW: robuuste IMP-NIR-TH3/90/IP68-sensor

De IMP-NIR-TH3/90/IP68 breidt het sensorportfolio uit met een krachtige sensor voor bijzonder veeleisende installatiesituaties en zware omgevingsomstandigheden. Deze sensor maakt indruk met een straalpad van 90° en een kleine werkafstand van slechts 3 mm – ideaal voor zeer krappe installatieruimtes. Dankzij de robuuste behuizing (IP68) is de sensor ook geschikt voor bijzonder veeleisende toepassingen, zoals het slijpen van slurry. De geïntegreerde luchtspoelinrichting houdt het straalpad continu vrij van vervuiling en garandeert zo een permanente meetnauwkeurigheid – zelfs in sterk vervuilde omgevingen.

Talrijke modellen voor veeleisende meettaken

Model Werkbereik / meetbereik Lineariteit Aantal meetbare lagen Toepassingsgebieden
IMS5420-TH Werkafstand
IMP-NIR-TH24 ca. 24 mm (21 ... 27 mm) | IMP-NIR-TH3/90/IP68 ca. 3 mm (1 ... 6 mm) /
0,05 ... 1,05 mm (voor silicium / n=3,82), 0,2 ... 4 mm (voor lucht, n=1)
< ±100 nm 1 laag Inline diktemeting, bijvoorbeeld na het slijpen of polijsten.
IMS5420MP < ±100 nm voor één laag
< ±200 nm voor extra lagen
tot 5 lagen Inline diktemeting, bijvoorbeeld voor kwaliteitscontrole van de laagdikte na het coaten.
IMS5420/IP67 Werkafstand
IMP-NIR-TH24 ca. 24 mm (21 ... 27 mm) /
0,05 ... 1,05 mm (voor silicium / n=3,82), 0,2 ... 4 mm (voor lucht, n=1)
< ±100 nm 1 laag Industriële inline diktemeting tijdens het lappen en slijpen.
IMS5420/IP67MP-TH < ±100 nm voor één laag
< ±200 nm voor extra lagen
tot 5 lagen Industriële inline diktemeting en meerlaagse meting tijdens het lappen en slijpen.

Moderne interfaces voor integratie in machines en systemen

De controller biedt geïntegreerde interfaces zoals Ethernet, EtherCAT en RS422, maar ook extra encoderaansluitingen, analoge uitgangen, synchronisatie-ingangen en digitale I/O's. Wanneer u de interfacemodules van Micro-Epsilon gebruikt, zijn PROFINET en EthernetIP beschikbaar. Dit maakt integratie van de interferometer in alle besturingssystemen en productieprogramma's mogelijk.

Tutorials